胜高股份有限公司广濑谅获国家专利权
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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利外延硅晶片及其制造方法以及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180052286.6，技术领域涉及：H01L21/322；该发明授权外延硅晶片及其制造方法以及半导体器件的制造方法是由广濑谅;门野武设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延硅晶片及其制造方法以及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的外延硅晶片100的制造方法的特征在于具有：对硅晶片10的表面10A照射包含SiHxx为选自1～3的整数中的1个以上离子及C2Hyy为选自2～5的整数中的1个以上离子的簇离子12的束，从而在所述硅晶片的表层部形成固溶有所述簇离子束的构成元素的改性层14的工序；及在所述硅晶片的改性层14上形成硅外延层16的工序，将所述SiHx离子的剂量设为1.5×1014个离子cm2以上。
本发明授权外延硅晶片及其制造方法以及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于包括： 改性层形成工序，对硅晶片的表面照射包含SiHx离子及C2Hy离子的簇离子束，从而在所述硅晶片的表层部形成固溶有所述簇离子束的构成元素的改性层，x为选自1～3的整数中的1个以上，y为选自2～5的整数中的1个以上；及 在所述硅晶片的改性层上形成硅外延层的工序， 将所述SiHx离子的剂量设为1.5×1014个离子cm2以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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