豪雅株式会社野泽顺获国家专利权
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龙图腾网获悉豪雅株式会社申请的专利掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115769144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180041203.3，技术领域涉及：G03F1/32；该发明授权掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法是由野泽顺;穐山圭司设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供不会使掩模制造工艺复杂化、且能够以期望的精度制作透射率不同的图案、能够在各个图案中得到期望的相移功能的掩模坯料。上述掩模坯料在相移膜上具有透射率调整膜，相移膜使透过相移膜后的ArF准分子激光的曝光光和仅在与上述相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的上述曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差，将透射率调整膜在曝光光的波长下的折射率设为nU、将在曝光光的波长下的消光系数设为kU、并将厚度设为dU[nm]时，同时满足下述的式1及式2的关系。式1：dU≤‑17.63×nU 3+142.0×nU 2－364.9×nU+315.8式2：dU≥‑2.805×kU 3+19.48×kU 2－43.58×kU+38.11。
本发明授权掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜， 在所述相移膜上具有透射率调整膜， 所述相移膜使透过所述相移膜后的ArF准分子激光的曝光光和仅在与所述相移膜厚度相同距离的空气中通过后的所述曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差， 将所述透射率调整膜在所述曝光光的波长下的折射率设为nU、将在所述曝光光的波长下的消光系数设为kU、并将厚度设为dU[nm]时，同时满足下述式1及式2的关系， 式1dU≤-17.63×nU 3+142.0×nU 2－364.9×nU+315.8 式2dU≥-2.805×kU 3+19.48×kU 2－43.58×kU+38.11， 所述透射率调整膜的所述折射率nU为1.2以上且3.0以下， 所述透射率调整膜的所述消光系数kU为1.5以上且3.0以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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