日本碍子株式会社福井宏史获国家专利权
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龙图腾网获悉日本碍子株式会社申请的专利层叠结构体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180054549.7，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权层叠结构体是由福井宏史;渡边守道;吉川润设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本层叠结构体在说明书摘要公布了：本发明的层叠结构体是在基底基板上具备包含α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜的层叠结构体，其中，半导体膜的平均膜厚为10μm以上，半导体膜呈凸状或凹状翘曲，半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。
本发明授权层叠结构体在权利要求书中公布了：1.一种层叠结构体，其中，在基底基板上具备包含α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜， 所述层叠结构体的特征在于， 所述半导体膜的平均膜厚为10μm以上，所述半导体膜呈凸状或凹状翘曲，在俯视所述半导体膜时的俯视图形中，画出从所述俯视图形的重心即点G通过且彼此正交的2个直线X、Y，在直线X上确定与点G分别相距20mm的2点A、B，并在直线Y上确定与点G分别相距20mm的2点C、D，确定所述半导体膜的表面处的点A与点B之间的曲线AB上的任意点中的至线段AB的距离最长的点P，并确定所述半导体膜的表面处的点C与点D之间的曲线CD上的任意点中的至线段CD的距离最长的点R，将线段AB与点P的距离设为翘曲量α，且将线段CD与点R的距离设为翘曲量β时，将所述翘曲量α、β设为所述半导体膜的翘曲量的情况下，所述半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。
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