无锡华润上华科技有限公司赵伟获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利钝化层蚀刻的改进方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110592270.6，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权钝化层蚀刻的改进方法是由赵伟;任冬华;王长山;郝建英;赵兵设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本钝化层蚀刻的改进方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钝化层蚀刻的改进方法，包括：步骤A，获取晶圆结构；所述晶圆结构包括衬底、衬底上的金属结构以及覆盖所述金属结构的钝化层；步骤B，光刻形成蚀刻窗口；步骤C，通过所述蚀刻窗口以第一射频功率干法蚀刻所述钝化层，在蚀刻至所述金属结构前停止；步骤D，通过所述蚀刻窗口以第二射频功率继续向下进行干法蚀刻，直至蚀刻至所述金属结构；所述第二射频功率小于所述第一射频功率。本发明在钝化层蚀刻至所述金属结构前，降低干法蚀刻的射频功率，从而能够降低干法蚀刻的等离子体开始接触到金属结构时的等离子体电荷密度，改善等离子体损伤，避免等离子体损伤导致器件开启电压异常。
本发明授权钝化层蚀刻的改进方法在权利要求书中公布了：1.一种钝化层蚀刻的改进方法，包括： 步骤A，获取晶圆结构；所述晶圆结构包括衬底、衬底上的金属结构以及覆盖所述金属结构的钝化层，所述金属结构包括导电主体和导电主体上的辅助层； 步骤B，光刻形成蚀刻窗口； 步骤C，通过所述蚀刻窗口以第一射频功率干法蚀刻所述钝化层，在蚀刻至所述金属结构前停止； 步骤D，通过所述蚀刻窗口以第二射频功率继续向下进行干法蚀刻，直至蚀刻至所述金属结构；所述第二射频功率小于所述第一射频功率，所述第二射频功率是所述步骤C的干法蚀刻产生的等离子体不会对所述金属结构造成等离子体损伤的功率； 步骤E，通过所述蚀刻窗口以第三射频功率继续向下进行干法蚀刻至所述导电主体，所述第三射频功率大于所述第二射频功率；所述步骤D在蚀刻至所述辅助层后停止。
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