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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411113B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110591152.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板是由黄杰;宁策;李正亮;胡合合;姚念琦;赵坤;周天民;雷利平设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在说明书摘要公布了：一种薄膜晶体管、阵列基板以及薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管包括：衬底基板；依次层叠设置在衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中，第一有源层通过位于第一绝缘层中的第一过孔结构与第二有源层接触，第一有源层与第二有源层未接触的部分通过第一绝缘层间隔开，该薄膜晶体管具有多个有源层结构，使得电荷分别聚集在每个有源层的两个表面，从而使得聚集在有源层的表面的电荷的数量成倍地增加，进而使得薄膜晶体管的开态电流成倍地增加。

本发明授权薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，包括： 衬底基板； 依次层叠设置在所述衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中， 所述第一有源层通过位于所述第一绝缘层中的第一过孔结构与所述第二有源层接触，所述第一有源层与所述第二有源层未接触的部分通过所述第一绝缘层间隔开； 所述薄膜晶体管还包括源漏电极层，所述源漏电极层通过第二过孔结构与所述第二有源层电连接，所述第一过孔结构的靠近所述衬底基板一侧的宽度大于所述第二过孔结构的靠近所述衬底基板一侧的宽度，所述第二过孔结构的靠近所述衬底基板的部分套设在所述第一过孔结构中，且所述第二过孔结构暴露所述第二有源层； 所述薄膜晶体管还包括第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极在所述第一有源层的靠近所述衬底基板的一侧，且在所述第一栅极和所述第一有源层之间设置有第一栅绝缘层；所述第二栅极在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧，且在所述第二栅极和所述第二有源层之间设置有第二栅绝缘层； 在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧设置有层间绝缘层，所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二过孔结构依次贯穿所述层间绝缘层、所述第二栅绝缘层和部分所述第一绝缘层； 所述薄膜晶体管还包括第三有源层，其中，所述第三有源层设置在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧，所述层间绝缘层设置在所述第三有源层和所述第二栅极之间，且所述第三有源层和所述源漏电极层电连接； 在第一方向上，所述第一有源层和所述第二有源层设置在所述第一栅极和所述第二栅极之间，且在第二方向上所述第二栅极设置在源极和漏极之间，所述第一方向和所述第二方向相交； 所述第一有源层包括层叠设置的第一子有源层和第二子有源层，所述第二有源层包括层叠设置的第三子有源层和第四子有源层，所述第一子有源层配置为阻止所述第一栅极中的元素扩散至所述第二子有源层，所述第二子有源层的载流子浓度大于所述第一子有源层的载流子浓度，所述第二子有源层的带隙小于所述第一子有源层的带隙，所述第四子有源层配置为阻止所述第二栅极中的元素扩散至所述第三子有源层，所述第三子有源层的载流子浓度大于所述第四子有源层的载流子浓度，所述第三子有源层的带隙小于所述第四子有源层的带隙，仅所述第三子有源层设置在所述第一过孔结构中，所述第四子有源层未设置在所述第一过孔结构中。

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