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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110483046.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由任烨;卜伟海;武咏琴;贾会静;苏悦阳设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：形成共形覆盖于偏移侧墙、栅极结构及基底上的侧墙膜，以及位于偏移侧墙侧壁的侧墙膜的侧壁上的第一侧墙；在第一器件区栅极结构一侧和另一侧的基底内分别对应形成源区、漏区；形成保护膜，共形覆盖于第一侧墙顶面和侧壁及侧墙膜上；去除第一器件区靠近源区一侧的第一侧墙上的保护膜，形成保护层；以保护层为掩膜，去除靠近源区一侧的第一侧墙；去除第一侧墙露出的侧墙膜和保护层；在第一器件区的源区与偏移侧墙之间的基底内形成第一轻掺杂区；在源区、漏区、第一轻掺杂区以及栅极结构的顶面形成金属硅化物层。本发明实施例提升TFET器件的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成隧穿场效应晶体管的第一器件区； 在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构的侧壁上形成有偏移侧墙； 形成位于所述偏移侧墙的顶面和侧壁、所述栅极结构的顶面及所述基底的顶面的侧墙膜，以及位于所述偏移侧墙侧壁的所述侧墙膜的侧壁上的第一侧墙； 形成所述第一侧墙后，在所述第一器件区中，在所述栅极结构一侧的基底内形成源区，以及在所述栅极结构另一侧的基底内形成漏区，所述漏区与源区的掺杂类型不同； 形成保护膜，共形覆盖于所述第一侧墙的顶面和侧壁、以及所述偏移侧墙和栅极结构及基底顶面的所述侧墙膜上； 在所述第一器件区中，去除靠近所述源区一侧的第一侧墙上的所述保护膜，剩余的未去除的保护膜用于作为保护层； 以所述保护层为掩膜，去除靠近所述源区一侧的所述第一侧墙； 在去除靠近所述源区一侧的所述第一侧墙后，去除所述第一侧墙露出的所述侧墙膜和所述保护层，位于所述偏移侧墙与第一侧墙之间、以及所述基底与第一侧墙之间的剩余侧墙膜用于作为第二侧墙； 在所述第一器件区中，在所述源区与所述偏移侧墙之间的基底内形成第一轻掺杂区，所述第一轻掺杂区与所述源区的掺杂类型相同； 在所述源区、漏区、第一轻掺杂区以及所述栅极结构的顶面形成金属硅化物层。

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