无锡华润上华科技有限公司顾炎获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利二极管及其制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110484015.X，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权二极管及其制造方法及半导体器件是由顾炎;宋华;何乃龙;张森设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管及其制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二极管及其制造方法及半导体器件，所述二极管包括：衬底；绝缘埋层，设于衬底上；半导体层，设于绝缘埋层上；阳极；阴极，包括：沟槽型接触，在沟槽内填充有接触材料；沟槽从半导体层的第一表面向半导体层的第二表面延伸，第一表面是远离绝缘埋层的表面，第二表面是朝向绝缘埋层的表面；阴极掺杂区，在沟槽型接触的四周和底部包围沟槽型接触，且还设置于沟槽型接触周围的所述第一表面；阴电极，在阴极掺杂区上并与阴极掺杂区电性连接。本发明阴极掺杂区的面积较大，因此在并联的横向绝缘栅型双极性晶体管关断时，二极管用于收集和复合少子的面积较大，二极管反向恢复的速度和效率高。
本发明授权二极管及其制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种二极管，基于绝缘体上硅结构，其特征在于，包括： 衬底； 绝缘埋层，设于所述衬底上； 半导体层，设于所述绝缘埋层上； 阳极； 阴极，包括： 沟槽型接触，在沟槽内填充有接触材料；所述沟槽从所述半导体层的第一表面向所述半导体层的第二表面延伸，所述第一表面是远离所述绝缘埋层的表面，所述第二表面是朝向所述绝缘埋层的表面； 阴极掺杂区，具有第一导电类型，在所述沟槽型接触的四周和底部包围所述沟槽型接触，且还设置于所述沟槽型接触周围的所述第一表面； 阴电极，在所述阴极掺杂区上并与所述阴极掺杂区电性连接，所述阴电极通过接触孔与所述阴极掺杂区形成欧姆接触，所述阴电极与设置于所述沟槽型接触周围的所述第一表面的阴极掺杂区接触，所述阴电极不与所述沟槽型接触直接接触。
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