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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110420045.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体的结构及其形成方法，方法包括：形成介电墙后，在第二器件区中，形成覆盖沟道叠层的顶部和侧壁的第一保护层，第一保护层露出第一器件区的沟道叠层；以第一保护层为掩膜，在第一器件区中，去除栅极开口露出的第一沟道层，形成与栅极开口相连通的第一通槽；形成第一通槽后，在第一器件区中，形成覆盖栅极开口和第一通槽露出的第二沟道层的第二保护层；以第二保护层为掩膜，在第二器件区中，去除栅极开口露出的所述第一保护层、以及第二沟道层，形成与栅极开口相连通的第二通槽。第一沟道层和第二沟道层能够分别满足第二型晶体管和第一型晶体管对载流子迁移率的要求，从而提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括用于形成第一型晶体管的第一器件区和用于形成第二型晶体管的第二器件区，所述第一器件区和第二器件区在第一方向上相邻； 沿第二方向延伸的第一沟道结构层，位于所述第二器件区的基底上，所述第一沟道结构层在纵向上包括一个或多个间隔设置的第一沟道层，且最底部的所述第一沟道层与基底相接触，所述第二方向垂直于所述第一方向； 沿所述第二方向延伸的第二沟道结构层，位于所述第一器件区的基底上且与所述基底间隔设置，所述第二沟道结构层在纵向上包括一个或多个间隔设置的第二沟道层，且所述第二沟道层与第一沟道层在纵向上交错设置； 沿所述第二方向延伸的介电墙，位于所述第一器件区和第二器件区交界处的基底上，且覆盖所述第一沟道结构层和第二沟道结构层的侧壁； 第一栅介质层，位于所述第一器件区中，所述第一栅介质层覆盖所述第二沟道层的部分顶部、部分侧壁和部分底部； 第二栅介质层，位于所述第二器件区中，所述第二栅介质层覆盖所述第一沟道层的部分顶部、部分侧壁和部分底部； 栅极结构，位于所述基底顶部且横跨所述第一沟道结构层、第二沟道结构层和介电墙，所述栅极结构覆盖所述第一沟道结构层、介电墙和第二沟道结构层的部分顶部，并包围所述第一栅介质层和第二栅介质层。

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