DIC株式会社;东京都公立大学法人植野纯平获国家专利权
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龙图腾网获悉DIC株式会社;东京都公立大学法人申请的专利拒水性铝材和其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115461498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180031197.3,技术领域涉及:C25D11/18;该发明授权拒水性铝材和其制造方法是由植野纯平;铃木秀也;都玹姃;益田秀树;柳下崇设计研发完成,并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本拒水性铝材和其制造方法在说明书摘要公布了:本发明为一种拒水性铝材,其具有:铝基材;形成于前述铝基材上的阳极氧化覆膜;和,沿着前述阳极氧化覆膜的与前述铝基材为相反侧的表面形成的拒水层,前述阳极氧化覆膜具有多个细孔,且前述细孔在前述阳极氧化覆膜的与前述铝基材为相反侧的平坦上表面具有开口部,沿着前述细孔的深度方向的纵截面具有从前述孔的前述开口部向前述孔的底部变窄的形状,前述拒水层包含低表面能物质。根据本发明,提供可以:具有优异的滑水性和流水耐久性、且实用性优异的拒水性铝材。
本发明授权拒水性铝材和其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种拒水性铝材,其具有:铝基材;形成于所述铝基材上的阳极氧化覆膜;和,沿着所述阳极氧化覆膜的与所述铝基材为相反侧的表面形成的拒水层, 所述阳极氧化覆膜具有多个细孔,且所述细孔在所述阳极氧化覆膜的与所述铝基材为相反侧的平坦上表面具有开口部, 沿着所述细孔的深度方向的纵截面具有从所述细孔的所述开口部向所述细孔的底部变窄的形状, 所述拒水层包含低表面能物质, 所述低表面能物质是选自由下述式2-1~2-4所示的化合物、下述式3所示的化合物、下述式4-1~4-3所示的化合物及下述式5-1~5-3所示的化合物组成的组中的1种以上, 所述式2-1、2-2、2-3和2-4中, r为表示重复数的整数, R21为碳原子数1~6的范围的亚烷基, R23为2价的连接基团, Z为3价的连接基团, Q各自独立地为有机基团或-SiA3所示的甲硅烷基,2个Q中的至少1者为SiA3所示的甲硅烷基, 所述SiA3所示的甲硅烷基的3个A各自独立地为水解性基团或非水解性基团,3个A中的至少1者为水解性基团, 所述式3中, PFPE为聚全氟亚烷基醚链, Y1和Y2各自独立地为直接键合或2价的连接基团, Z1和Z2各自独立地为2价的连接基团, 所述SiA3所示的甲硅烷基的3个A各自独立地为水解性基团或非水解性基团,3个A中的至少1者为水解性基团,所述2个SiA3所示的甲硅烷基任选彼此相同或不同, 所述式4-1、4-2和4-3中, r为表示重复数的整数, R41为碳原子数1~6的亚烷基, R42为亚烷基氨基亚烷基或亚烷基硫代亚烷基, 所述SiA3所示的甲硅烷基的3个A各自独立地为水解性基团或非水解性基团,3个A中的至少1者为水解性基团, 所述式5-1、5-2和5-3中, l为表示重复数的整数, m为表示重复数的整数, R51为碳原子数1~6的范围的亚烷基, R52为亚烷基氨基亚烷基或亚烷基硫代亚烷基, 所述SiA3所示的甲硅烷基的3个A各自独立地为水解性基团或非水解性基团,3个A中的至少1者为水解性基团。
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