意法半导体有限公司L·宫蒂尔获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体有限公司申请的专利电容器放电获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110077493.9，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权电容器放电是由L·宫蒂尔设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器放电在说明书摘要公布了：本公开涉及电容器放电。电容性元件具有通过电反并联的两个晶闸管耦合在一起的其端子。通过向两个晶闸管中的、响应于跨电容性元件的端子存储的电压而处于反向偏置状态的、一个晶闸管施加栅极电流，来控制电容性元件的放电。反向偏置的晶闸管通过使泄漏电流通过，来对所施加的栅极电流进行响应，以使存储的电压放电。
本发明授权电容器放电在权利要求书中公布了：1.一种用于使电容性元件放电的方法，所述电容性元件具有耦合到整流桥的端子，所述整流桥包括第一晶闸管和第二晶闸管，所述第一晶闸管的阳极和所述第二晶闸管的阴极连接，所述第一晶闸管具有控制端子，并且所述第二晶闸管具有控制端子，所述方法包括： 确定所述第一晶闸管和所述第二晶闸管中的哪个晶闸管通过跨所述电容性元件的所述端子存储的电压被反向偏置； 将栅极电流施加到所述第一晶闸管和所述第二晶闸管中的、通过跨所述电容性元件的所述端子存储的所述电压被反向偏置的、所确定的所述晶闸管的所述控制端子； 其中被施加到所述第一晶闸管和所述第二晶闸管中的被反向偏置的所确定的所述晶闸管的所述栅极电流引起泄漏，所述泄漏使跨所述电容性元件的所述端子存储的所述电压放电。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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