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龙图腾网获悉蚌埠希磁科技有限公司申请的专利一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011596850.4，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件是由韩荷福;何路光;王连伟;涂恩平设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件。隧道磁电阻包括：钉扎层；与所述钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为超顺磁层，所述自由层的厚度小于或等于临界厚度；位于所述钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的底层导电结构。隧道磁电阻中的自由层选用厚度小于或等于临界厚度的超顺磁层，在磁化过程中，组成超顺磁的单畴颗粒的磁矩能够沿同一方向取向而达到磁饱和，磁化率较高，因此，本发明提供的隧道磁电阻具有大的饱和场和大的线性度。

本发明授权一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件在权利要求书中公布了：1.一种隧道磁电阻，其特征在于，包括： 钉扎层； 与所述钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为超顺磁层，所述自由层的厚度小于或等于临界厚度，所述自由层的厚度为1.2nm～1.4nm，所述自由层进行退火磁化处理后形成超顺磁层，退火磁化处理的退火温度为330℃～400℃，退火磁化处理的退火时间为2小时～6小时，退火磁化处理的磁场方向平行于所述自由层与所述钉扎层相对的表面，退火磁化处理的磁场强度为4000Gs～20000Gs； 位于所述钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层； 所述钉扎层包括第一子钉扎膜、第二子钉扎膜、第三子钉扎膜和第四子钉扎膜，第一子钉扎膜、第二子钉扎膜、第三子钉扎膜和第四子钉扎膜在自所述自由层至所述隧穿势垒层的方向上依次层叠； 所述第一子钉扎膜的材料包括CoFe40B20，第一子钉扎膜的厚度为1.4nm～3nm； 所述第二子钉扎膜的材料包括Ru，第二子钉扎膜的厚度为0.7nm～1.0nm； 所述第三子钉扎膜的材料包括CoFe30，第三子钉扎膜的厚度为1.5nm～2nm； 所述第四子钉扎膜的材料包括PtMn62，第四子钉扎膜的厚度为15nm～20nm； 位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的底层导电结构。

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