蚌埠希磁科技有限公司何路光获国家专利权
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龙图腾网获悉蚌埠希磁科技有限公司申请的专利一种隧道磁电阻及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011596848.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种隧道磁电阻及其制造方法是由何路光;王连伟;涂恩平;韩荷福设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种隧道磁电阻及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种隧道磁电阻及其制造方法，隧道磁电阻包括：第一钉扎层；与所述第一钉扎层相对设置的自由层；位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层。第二钉扎层可以为自由层提供较弱的交换偏置场，在外界环境温度或者外磁场移除之后，交换偏置场可以钉扎自由层在初始状态下的方向上，从而避免了隧道磁电阻涡旋磁化初始状态不稳定、容易受到外界环境的变化从而导致磁化曲线的漂移的问题，具有稳定自由层及增加自由层温度稳定性的作用。
本发明授权一种隧道磁电阻及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种隧道磁电阻，其特征在于，包括： 第一钉扎层； 与所述第一钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为复合结构，所述自由层包括层叠的第一自由子层和第二自由子层，所述自由层还包括：位于所述第一自由子层和所述第二自由子层之间的间隔层，所述第一自由子层的材料包括CoFeB，所述间隔层的材料包括Ta，所述第二自由子层的厚度为30nm～60nm； 位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层，所述第一自由子层位于所述第二自由子层和所述隧穿势垒层之间； 位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层，所述第二钉扎层的厚度为6nm～12nm。
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