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龙图腾网获悉蚌埠希磁科技有限公司申请的专利一种隧道磁电阻及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011596972.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种隧道磁电阻及其制造方法是由王连伟;何路光;涂恩平;韩荷福设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种隧道磁电阻及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种隧道磁电阻及其制备方法，隧道磁电阻包括：第一钉扎层；与所述第一钉扎层相对设置的自由层：位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；位于所述第一钉扎层和所述隧穿势垒层之间的被钉扎层；位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层；所述第一钉扎层与所述被钉扎层形成第一钉扎场，所述第二钉扎层与所述自由层形成第二钉扎场，第一钉扎场和第二钉扎场的方向均平行于所述第一钉扎层与所述第二钉扎层相对的表面，第一钉扎场的方向和第二钉扎场的方向之间的夹角为70°～110°。所述隧道磁电阻的饱和场得到增加，从而增大了隧道磁电阻的线性范围。

本发明授权一种隧道磁电阻及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种隧道磁电阻，其特征在于，包括： 第一钉扎层，所述第一钉扎层的材料包括反铁磁PtMn合金，PtMn的奈尔温度为330℃，所述第一钉扎层进行了第一退火磁化处理，所述第一退火磁化处理的退火温度为330℃～350℃，所述第一退火磁化处理的磁场大小为8000Gs～12000Gs； 与所述第一钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为复合结构，所述自由层包括层叠的第一自由子层和第二自由子层，所述自由层还包括：位于所述第一自由子层和所述第二自由子层之间的间隔层，所述第一自由子层的材料包括CoFeB，所述第二自由子层的厚度为4nm～7nm，所述间隔层的材料包括Ta，所述间隔层的厚度为0.15nm～0.2nm； 位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层，第一自由子层位于所述第二自由子层和所述隧穿势垒层之间； 位于所述第一钉扎层和所述隧穿势垒层之间的被钉扎层； 位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层，所述第二钉扎层的材料包括反铁磁IrMn合金，IrMn的奈尔温度为270℃，所述第二钉扎层进行了第二退火磁化处理，所述第二退火磁化处理的的退火温度为250℃～260℃，所述第二退火磁化处理的磁场大小为300Gs～400Gs； 所述第一退火磁化处理施加的磁场方向与所述第二退火磁化处理施加的磁场方向之间的夹角为70°～110°，且均平行于所述第一钉扎层与所述第二钉扎层相对的表面； 所述第一钉扎层与所述被钉扎层形成第一钉扎场，所述第二钉扎层与所述自由层形成第二钉扎场，第一钉扎场和第二钉扎场的方向均平行于所述第一钉扎层与所述第二钉扎层相对的表面，第一钉扎场的方向和第二钉扎场的方向之间的夹角为70°～110°。

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