美光科技公司A·M·贝利斯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利半导体装置组合件的薄裸片释放获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011456023.5，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权半导体装置组合件的薄裸片释放是由A·M·贝利斯;B·P·沃兹设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置组合件的薄裸片释放在说明书摘要公布了：本申请案涉及半导体装置组合件的薄裸片释放。揭示用于从安装胶带释放经减薄半导体裸片的方法及相关联设备。在一个实施例中，牺牲层可经安置于包含半导体裸片的经减薄衬底的背侧处。所述牺牲层包含可与流体及或蒸气接触而溶解的材料。一片多孔安装胶带可经附接到所述牺牲层，且弹出组件可经提供于待释放的目标半导体裸片之下。所述弹出组件经配置以在所述目标半导体裸片之下产生所述流体的局部局限水坑，使得所述牺牲层经移除以从所述安装胶带释放所述目标半导体裸片。此外，支撑组件可经提供以在从所述安装胶带释放所述目标半导体裸片之后拾取所述目标半导体裸片。
本发明授权半导体装置组合件的薄裸片释放在权利要求书中公布了：1.一种释放目标半导体裸片的方法，其包括： 从衬底的背侧减薄所述衬底，所述衬底包含形成于所述衬底的前侧上的多个半导体裸片； 将一片安装胶带附接于已被减薄的所述衬底的所述背侧上，所述一片安装胶带包含经配置以促进流体到达所述衬底的所述背侧的多个开口； 切割所述衬底以使所述多个半导体裸片中的个别半导体裸片单粒化，使得每一个别半导体裸片附接到所述一片安装胶带；及 从所述一片安装胶带释放所述多个半导体裸片中的单个目标半导体裸片，其中所述方法进一步包括： 通过所述单个目标半导体裸片之下的所述多个开口中的多个开口将所述流体施加于所述衬底的所述背侧，所述流体经配置以使安置于所述衬底的所述背侧处的牺牲层溶解，其中释放所述单个目标半导体裸片是至少部分基于施加所述流体；且 将施加于所述衬底的所述背侧的所述流体局限于与所述单个目标半导体裸片的周边相互关联的边界内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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