武汉电信器件有限公司赵建宜获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉电信器件有限公司申请的专利一种热调谐半导体芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011458418.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种热调谐半导体芯片及其制备方法是由赵建宜;李景磊;张博设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种热调谐半导体芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种热调谐半导体芯片及其制备方法，其中，所述热调谐半导体芯片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底上的牺牲层和功能层；所述功能层用于向所述热调谐半导体芯片的热调谐电极传递热量；其中，在所述衬底和所述牺牲层内形成有悬浮区域，所述悬浮区域为贯穿所述牺牲层并终止于所述衬底内部的空腔结构，以使位于所述空腔结构上方的所述功能层与所述空腔结构下方剩余的部分所述衬底通过所述悬浮区域隔离。
本发明授权一种热调谐半导体芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种热调谐半导体芯片，其特征在于，包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底上的牺牲层、支撑层和功能层；所述功能层用于向所述热调谐半导体芯片的热调谐电极传递热量；其中， 在所述衬底和所述牺牲层内形成有悬浮区域，所述悬浮区域为从所述支撑层的上表面以下、延伸贯穿所述牺牲层、并终止于所述衬底内部的空腔结构，以使位于所述空腔结构上方的所述功能层与所述空腔结构下方剩余的部分所述衬底通过所述悬浮区域隔离；所述悬浮区域包括位于所述衬底内的第一部分、位于所述牺牲层内的第二部分和位于所述支撑层内的第三部分，所述第一部分的深度大于所述第二部分和所述第三部分的深度之和。
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