中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011289258.X，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松;苏柏青;亚伯拉罕·庾设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；沟道结构，分立于器件区的衬底上；电源轨道线，位于电源轨道区的衬底中；栅极结构，横跨沟道结构；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧的沟道结构中；层间介质层，位于栅极结构的侧部；电源轨接触插塞，贯穿电源轨道线顶部的部分厚度层间介质层，沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触；源漏接触层，位于层间介质层中且与源漏掺杂区相接触，在与衬底平行的投影面上源漏接触层横跨电源轨道线。沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触，增大了电源轨接触插塞沿纵向的尺寸、以及电源轨接触插塞与电源轨道线的接触面积，有利于减小电源轨接触插塞的电阻以及与电源轨道线的接触电阻。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括多个分立的器件区和位于所述器件区之间的电源轨道区； 沟道结构，分立于所述器件区的衬底上； 电源轨道线，位于所述电源轨道区的衬底中，所述电源轨道线和沟道结构均沿横向延伸，与所述横向相垂直的方向为纵向； 栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述沟道结构； 源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的所述沟道结构中； 层间介质层，位于所述栅极结构的侧部且覆盖源漏掺杂区和电源轨道线； 电源轨接触插塞，贯穿所述电源轨道线顶部的部分厚度层间介质层，沿所述纵向，所述电源轨接触插塞与所述电源轨道线的顶面全接触； 源漏接触层，位于所述源漏掺杂区顶部的层间介质层中且与所述源漏掺杂区相接触，所述源漏接触层位于所述电源轨接触插塞上且覆盖所述电源轨接触插塞的顶面，在与衬底平行的投影面上，所述源漏接触层横跨所述电源轨道线。
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