中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011269206.6，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构的形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有图形传递材料层；在图形传递材料层上形成掩膜层，掩膜层内形成有贯穿掩膜层的开口；在开口的侧壁形成侧墙层；以侧墙层为掩膜，对开口底部的图形传递材料层进行第一离子注入，向图形传递材料层中注入目标离子，形成贯穿图形传递材料层的图形层，其中，目标离子用于提高材料传递层和图形层之间的刻蚀选择比；形成图形层后，去除掩膜层和侧墙层。本发明通过在开口形成侧墙层，在沿图形层厚度的方向上，易于使图形层各位置处的目标离子浓度均满足工艺需求，同时，改善目标离子在靠近开口底部位置处横向扩散严重的问题，从而有利于提高图形层的侧壁垂直度和线宽精度，进而提高图形传递的精度。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有图形传递材料层； 在所述图形传递材料层上形成掩膜层，所述掩膜层内形成有贯穿所述掩膜层的开口； 在所述开口的侧壁形成侧墙层； 以所述侧墙层为掩膜，对所述开口底部的图形传递材料层进行第一离子注入，向所述图形传递材料层中注入目标离子，形成贯穿所述图形传递材料层的图形层，其中，所述目标离子用于提高所述图形传递材料层和所述图形层之间的刻蚀选择比，所述侧墙层用于为所述目标离子的横向扩散提供余量； 形成所述图形层后，去除所述掩膜层和所述侧墙层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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