台湾积体电路制造股份有限公司朱熙甯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011195344.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体元件结构及其形成方法是由朱熙甯;江国诚;郑冠仑;王志豪设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体元件结构及其形成方法。半导体元件结构包括于基底上的半导体鳍片，以及悬置于半导体鳍片上的多个半导体纳米结构。半导体元件结构也包括延伸跨越半导体鳍片的栅极堆叠，且栅极堆叠包绕每个半导体纳米结构。半导体元件结构还包括包夹半导体纳米结构的第一外延结构和第二外延结构。第一外延结构和第二外延结构的每一个延伸超过半导体鳍片的顶面。此外，半导体元件结构包括于半导体鳍片和栅极堆叠之间的隔离结构。隔离结构更延伸超过第一外延结构的两侧侧壁。
本发明授权半导体元件结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一半导体鳍片，于一基底上； 多个半导体纳米结构，悬置于该半导体鳍片上； 一栅极堆叠，延伸跨越该半导体鳍片，其中该栅极堆叠包绕所述多个半导体纳米结构的每一个； 一第一外延结构和一第二外延结构，包夹所述多个半导体纳米结构，其中该第一外延结构和该第二外延结构的每一个延伸超过该半导体鳍片的顶面；以及 一隔离结构，于该半导体鳍片和该栅极堆叠之间，其中该隔离结构更延伸超过该第一外延结构的两侧侧壁，其中该隔离结构是一连续结构，以包绕该第一外延结构的一下部的侧壁和底面，其中该隔离结构延伸跨越该第一外延结构的两侧侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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