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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011080516.3，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构的形成方法是由张冬平;张海洋;郑二虎设计研发完成，并于2020-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：半导体结构的形成方法，包括：提供初始基底；在初始基底上依次形成硬掩模材料层和底部芯轴材料层；在底部芯轴材料层上形成多个分立的第一芯轴层和第一复合芯轴层；第一复合芯轴层顶部覆盖有保护层，第一芯轴层顶部未覆盖保护层；形成覆盖第一芯轴层侧壁和第一复合芯轴层侧壁的第一侧墙掩膜层；去除第一芯轴层，并以第一侧墙掩膜层和第一复合芯轴层为掩膜刻蚀底部芯轴材料层，形成多个分立的第二芯轴层；形成覆盖第二芯轴层侧壁的第二侧墙掩膜层；去除第二芯轴层，并以第二侧墙掩膜层为掩膜刻蚀硬掩模材料层，形成图案化的硬掩模层；以图案化的硬掩模层为掩膜图案化初始基底，形成目标图案。上述的方案，可以满足目标图形的不同间距需求。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始基底，用于形成目标图案； 在所述初始基底上形成硬掩模材料层和位于硬掩模材料层上的底部芯轴材料层； 在所述底部芯轴材料层上形成多个分立的第一芯轴层和第一复合芯轴层；所述第一复合芯轴层顶部覆盖有保护层，所述第一芯轴层顶部未覆盖所述保护层； 形成覆盖所述第一芯轴层侧壁和所述第一复合芯轴层侧壁的第一侧墙掩膜层； 去除所述第一芯轴层，并以所述第一侧墙掩膜层和所述第一复合芯轴层为掩膜刻蚀所述底部芯轴材料层，形成多个分立的第二芯轴层，使得各个所述第二芯轴层在所述目标图案宽度方向上的尺寸至少部分不同； 形成覆盖所述第二芯轴层侧壁的第二侧墙掩膜层； 去除所述第二芯轴层，并以所述第二侧墙掩膜层为掩膜刻蚀所述硬掩模材料层，形成图案化的硬掩模层； 以所述图案化的硬掩模层为掩膜图案化所述初始基底，形成所述目标图案； 其中，在所述底部芯轴材料层上形成多个分立的第一芯轴层和第一复合芯轴层的步骤，包括： 在所述底部芯轴材料层上形成顶部芯轴材料层； 在所述顶部芯轴材料层上形成多个分立的保护材料层； 形成覆盖所述顶部芯轴材料层和所述保护材料层的平坦层、位于所述平坦上的抗反射层和位于所述抗反射层上的图案化的光刻胶层； 以所述图案化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、所述平坦层、所述保护材料层和所述顶部芯轴材料层，形成多个分立的第一芯轴层和第一复合芯轴层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。