买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利半导体器件的制造方法和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114314499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011057167.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权半导体器件的制造方法和电子装置是由桂珞;丁敬秀设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法和电子装置在说明书摘要公布了：一种半导体器件的制造方法和电子装置，制造方法包括：形成MEMS器件和第一牺牲层，MEMS器件包括固定结构，固定结构包括基底和环绕基底的围壁结构，MEMS器件还包括悬空设置于基底上的可动结构、以及位于可动结构和固定结构之间的第二牺牲层，第一牺牲层用于支撑可动结构与固定结构分离，且去除第二牺牲层的工艺对第二牺牲层的去除速率大于对第一牺牲层的去除速率；去除第二牺牲层；去除第二牺牲层后，去除第一牺牲层。本发明通过形成第一牺牲层，在去除第二牺牲层的过程中，第一牺牲层用于支撑可动结构与固定结构分离，从而降低所述可动结构与固定结构之间发生表面贴合或黏连的概率，从而提高工艺可靠性，相应有利于提高半导体器件的性能。

本发明授权半导体器件的制造方法和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 形成MEMS器件和第一牺牲层，所述MEMS器件包括固定结构，所述固定结构包括基底以及环绕所述基底的围壁结构，所述MEMS器件还包括悬空设置于所述基底上的可动结构、以及位于所述可动结构和所述固定结构之间的第二牺牲层，所述第一牺牲层用于固定所述可动结构，以支撑所述可动结构与所述固定结构分离； 形成所述MEMS器件和所述第一牺牲层之后，去除所述第二牺牲层； 去除所述第二牺牲层之后，去除所述第一牺牲层；其中，去除所述第二牺牲层的工艺对所述第二牺牲层的去除速率大于对所述第一牺牲层的去除速率； 其中，在形成所述MEMS器件之后，在所述MEMS器件上形成所述第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述第二牺牲层的顶面，并延伸覆盖所述围壁结构的顶面以及所述可动结构的部分顶面； 或者， 在形成所述MEMS器件的过程中，形成所述第一牺牲层；所述第一牺牲层位于部分的所述可动结构和部分的所述基底之间，并嵌于所述第二牺牲层中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。