英飞凌科技德累斯顿公司H·塔迪肯获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技德累斯顿公司申请的专利与射频设备相关的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010792855.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权与射频设备相关的方法和设备是由H·塔迪肯;C·布茨科夫;A·卡塔内奥;H·菲克;D·海斯;C·卡陶;U·塞德尔;V·索罗姆克;A·施特尔滕波尔设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本与射频设备相关的方法和设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及与射频设备相关的方法和设备。讨论了与RF设备相关的方法和设备。为了制造设备，在半导体衬底的第一侧处形成RF设备，并且减薄并随后处理第二侧。
本发明授权与射频设备相关的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 提供半导体衬底20；40，所述半导体衬底20；40具有第一侧20A；40A以及与所述第一侧相对的第二侧20B；40E， 在所述第一侧20A；40A处形成至少一个射频设备22； 从所述第二侧20B；40B减薄所述半导体衬底20；40；并且 处理减薄的所述半导体衬底20；40的所述第二侧20B；40B，以减少泄漏电流或改善所述至少一个射频设备22的射频线性度， 其中处理减薄的所述半导体衬底20；40的所述第二侧20B；40B，以减少泄漏电流或改善射频线性度包括执行Bosch蚀刻。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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