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龙图腾网获悉成都中电熊猫显示科技有限公司申请的专利低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111725243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010729635.0，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法是由刘翔设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法。本发明提供的阵列基板，包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管组件，薄膜晶体管组件包括第一半导体层、第一源极、第一漏极、第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极；第一半导体层、第一源极、第一漏极和公共栅极形成第一薄膜晶体管，第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极形成第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管设于第一薄膜晶体管上方，且第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在竖直方向上具有重叠区域；其中，第一半导体层和第二半导体层中的一者为多晶硅半导体层，另一者为金属氧化物半导体层。本发明提供的阵列基板在满足高分辨率要求的同时，可增大像素开口率，降低功耗。

本发明授权低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包括第一半导体层、第一源极、第一漏极、第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极，所述第一源极和所述第一漏极分别连接在所述第一半导体层两侧，所述第二源极和所述第二漏极分别连接在所述第二半导体层两侧； 所述第一半导体层、第一源极、第一漏极和公共栅极形成第一薄膜晶体管，所述第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极形成第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管沿所述阵列基板的层叠方向设于所述第一薄膜晶体管上方，且所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的一者在衬底基板上的正投影位于另一者在衬底基板上的正投影的覆盖范围内； 其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者为多晶硅半导体层，另一者为金属氧化物半导体层； 所述薄膜晶体管组件还包括设置在所述衬底基板上的缓冲层、依次层叠设置在所述缓冲层上的栅绝缘层和栅极保护层、依次层叠设置在所述栅极保护层上的氧化物绝缘层和金属氧化物保护层； 所述栅极保护层和所述栅绝缘层中设置有连通至所述第一半导体层的接触孔，所述第一源极和所述第一漏极设置在所述栅极保护层中并通过所述接触孔与所述第一半导体层接触，所述栅极保护层包括依次层叠在所述栅绝缘层上的第一栅极保护层和第二栅极保护层，所述第一源极和所述第一漏极设置在所述第一栅极保护层和所述第二栅极保护层之间； 所述第二半导体层及所述第二源极、所述第二漏极均设置在所述氧化物绝缘层上，所述金属氧化物保护层覆盖所述第二半导体层及所述第二源极、所述第二漏极； 所述公共栅极为双层结构，所述公共栅极的底层由Mo、Ti、W或者Mo合金、Ti合金构成，所述公共栅极的上层由金属Cu构成； 所述第二薄膜晶体管的覆盖面积大于所述第一薄膜晶体管的覆盖面积，且所述第一薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第二薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影的覆盖范围内。

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