硅存储技术股份有限公司H·V·特兰获国家专利权
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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利用于人工神经网络中的模拟神经存储器的精确数据调谐方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930458B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080091622.3，技术领域涉及：G11C11/54；该发明授权用于人工神经网络中的模拟神经存储器的精确数据调谐方法和装置是由H·V·特兰;S·莱姆克;V·蒂瓦里;N·多;M·雷顿设计研发完成，并于2020-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于人工神经网络中的模拟神经存储器的精确数据调谐方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了用于将正确的电荷量精确快速地沉积在人工神经网络中的矢量‑矩阵乘法VMM阵列内的非易失性存储器单元的浮栅上的精确编程算法和装置的多个实施方案。因此，可极精确地对所选单元进行编程，以保持N个不同值中的一个值。
本发明授权用于人工神经网络中的模拟神经存储器的精确数据调谐方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种调谐非易失性存储器单元的矢量-矩阵乘法阵列中的所选非易失性存储器单元的方法，所述方法包括： i设置所述所选非易失性存储器单元的初始目标电流并将输出误差设置成零； ii对所述矢量-矩阵乘法阵列中的所有非易失性存储器单元执行软擦除； iii对除了所述所选非易失性存储器单元之外的所有非易失性存储器单元执行深度编程操作； iv如果所述输出误差是正的，意味着所述所选非易失性存储器单元已在编程中经历过冲，则基于所述输出误差来将所述初始目标电流修正成新目标电流；如果所述输出误差等于零或是负的，则将所述新目标电流设置成先前设置的目标电流； v对所述所选非易失性存储器单元执行粗略编程操作和精细编程操作中的一者或多者； vi对所述所选非易失性存储器单元执行读取操作，并且确定在所述读取操作期间由所述所选非易失性存储器单元消耗的单元输出电流； vii作为所确定的单元输出电流与所述新目标电流之间的差值来计算所述输出误差；以及 viii重复步骤ii、iii、iv、v、vi以及vii，直到所述输出误差小于预定阈值为止。
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