买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉株式会社索思未来申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080044702.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体存储装置是由广濑雅庸设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：在单元下部，形成有分别相当于驱动晶体管PD1、PD2、存取晶体管PG1、PG2、读出驱动晶体管RPD1以及读出存取晶体管RPG1的晶体管N1～N12。在单元上部，形成有分别相当于负载晶体管PU1、PU2的晶体管P1、P2。晶体管P1、P2分别与晶体管N3、N8在俯视时重合。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，包括双口SRAM单元，其特征在于： 所述双口SRAM单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管， 在所述第一晶体管中，一节点与供给第一电压的第一电源相连，另一节点与第一节点相连，栅极与第二节点相连， 在所述第二晶体管中，一节点与所述第一电源相连，另一节点与所述第二节点相连，栅极与所述第一节点相连， 在所述第三晶体管中，一节点与所述第一节点相连，另一节点与供给第二电压的第二电源相连，所述第二电压与所述第一电压不同，栅极与所述第二节点相连， 在所述第四晶体管中，一节点与所述第二节点相连，另一节点与所述第二电源相连，栅极与所述第一节点相连， 在所述第五晶体管中，一节点与第一写入位线相连，另一节点与所述第一节点相连，栅极与写入字线相连， 在所述第六晶体管中，一节点与第二写入位线相连，所述第二写入位线与所述第一写入位线构成互补位线对，另一节点与所述第二节点相连，栅极与所述写入字线相连， 在所述第七晶体管中，一节点与所述第二电源相连，栅极与所述第二节点相连， 在所述第八晶体管中，一节点与所述第七晶体管中的另一节点相连，另一节点与读出位线相连，栅极与读出字线相连， 所述第三晶体管到所述第六晶体管分别由形成在第一层的第一导电型的立体构造晶体管构成， 所述第一晶体管、所述第二晶体管分别由形成在第二层的第二导电型的立体构造晶体管构成，所述第二层与所述第一层不同，所述第二导电型与所述第一导电型不同，且所述第一晶体管、所述第二晶体管的至少一部分分别与所述第三晶体管、所述第四晶体管在俯视时重合， 所述第七晶体管、所述第八晶体管分别包括形成在所述第一层的所述第一导电型的立体构造晶体管，且沿所述第一晶体管到所述第八晶体管的沟道部延伸的方向即第一方向排列着形成， 所述第七晶体管、所述第八晶体管分别包括第一立体构造晶体管和第二立体构造晶体管， 所述第一立体构造晶体管形成在所述第一层， 所述第二立体构造晶体管以至少一部分与所述第一立体构造晶体管在俯视时重合的方式形成在所述第二层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社索思未来，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。