国际商业机器公司邵东兵获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利倒装芯片配置中量子器件中的凸块连接放置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080039468.5，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权倒装芯片配置中量子器件中的凸块连接放置是由邵东兵;M·布林克设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装芯片配置中量子器件中的凸块连接放置在说明书摘要公布了：在倒装芯片配置中的第一表面的布局内，根据凸块集放置限制来映射凸块限制区域，其中第一凸块放置限制指定第一表面的布局中的凸块与量子位芯片元件之间的允许距离范围，并且其中第二凸块放置限制指定倒装芯片配置中的第二表面的布局中的凸块与量子位芯片元件之间的允许距离范围。在凸块限制区域外部，沉积导电材料以形成凸块，其中凸块包括导电结构，导电结构将第一表面和第二表面之间的信号电耦合，并且根据凸块放置限制集被定位。
本发明授权倒装芯片配置中量子器件中的凸块连接放置在权利要求书中公布了：1.一种计算机实现的方法，包括： 在倒装芯片配置中的第一表面的布局内，根据凸块放置限制集来映射凸块限制区域，其中第一凸块放置限制指定所述第一表面的布局中的凸块与量子位芯片元件之间的允许距离范围，并且其中第二凸块放置限制指定所述倒装芯片配置中的第二表面的布局中的所述凸块与量子位芯片元件之间的允许距离范围； 检查所述第一表面的所述布局与第三凸块放置限制和第四凸块放置限制的一致性，其中所述第三凸块放置限制指定所述第一表面的所述布局中的第一凸块与第二凸块之间的允许距离范围，并且其中所述第四凸块放置限制指定所述第一表面的所述布局的部分的最小允许凸块密度； 响应于所述检查，调整所述第一表面的所述布局的部分的凸块密度；以及 在所述凸块限制区域外部，沉积导电材料以形成所述凸块，其中所述凸块包括导电结构，所述导电结构将所述第一表面与所述第二表面之间的信号电耦合并且根据所述凸块放置限制集被定位。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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