德克萨斯仪器股份有限公司C·特塞获国家专利权
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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利具有双阱隔离的延伸漏极MOS获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113614882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080022517.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权具有双阱隔离的延伸漏极MOS是由C·特塞;G·马图尔设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有双阱隔离的延伸漏极MOS在说明书摘要公布了：集成电路100包括延伸漏极MOS晶体管105。集成电路100的衬底101具有第一导电类型的下层103。延伸漏极MOS晶体管105的漏极阱106具有第一导电类型。漏极阱106通过具有相反的第二导电类型的漏极隔离阱112与下层103分开。延伸漏极MOS晶体管105的源极区108通过具有第二导电类型的体阱113与下层103分开。漏极隔离阱112和体阱113都接触下层103。漏极隔离阱112中的第二导电类型的平均掺杂剂密度小于体阱113中的第二导电类型的平均掺杂剂密度。
本发明授权具有双阱隔离的延伸漏极MOS在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其包括： 衬底； 所述衬底中的半导体材料的下层，所述下层具有第一导电类型； 延伸漏极金属氧化物半导体晶体管，即延伸漏极MOS晶体管，其包括： 在所述衬底中的漏极阱，所述漏极阱具有所述第一导电类型； 在所述衬底中的源极区，所述源极区具有所述第一导电类型； 在所述衬底中的漏极隔离阱，所述漏极隔离阱具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中所述漏极隔离阱将所述漏极阱与所述下层分开，并且所述漏极隔离阱接触所述漏极阱并接触所述下层；以及 在所述衬底中的体阱，所述体阱具有所述第二导电类型，其中所述体阱将所述源极区与所述下层分开，并且所述体阱接触所述源极区并接触所述下层，并且其中所述漏极隔离阱中的所述第二导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度小于所述体阱中的所述第二导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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