买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉瑞能半导体科技股份有限公司申请的专利功率器件及功率器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111370481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010160130.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权功率器件及功率器件制备方法是由李东升;章剑锋设计研发完成，并于2020-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及功率器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及功率器件制备方法，功率器件包括：外延层，外延层包括位于第二表面至第一表面之间预定厚度的漂移区，漂移区被配置为第一导电类型，外延层与厚度方向相垂直的横向上具有多个原胞结构；各原胞结构包括：冗余发射极沟槽，两个冗余发射极沟槽相互间隔设置，冗余发射极沟槽由第一表面延伸至漂移区，冗余发射极设置于冗余发射极沟槽；栅极沟槽，设置于两个冗余发射极沟槽之间，栅极沟槽由第一表面延伸至漂移区，栅极设置于栅极沟槽；体区，位于两个冗余发射极沟槽之间，体区被配置为第二导电类型；浮空区，位于各冗余发射极沟槽背向栅极沟槽一侧，浮空区被配置为第二导电类型，其中，浮空区的深度大于冗余发射极沟槽的深度。

本发明授权功率器件及功率器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括： 外延层，沿自身厚度方向上具有相对的第一表面和第二表面，所述外延层包括位于所述第二表面至所述第一表面之间预定厚度的漂移区，所述漂移区被配置为第一导电类型，所述外延层与所述厚度方向相垂直的横向上具有多个原胞结构，所述原胞结构沿列方向排列为多行，在行方向上间隔设置有多个所述原胞结构； 各所述原胞结构包括： 冗余发射极沟槽，两个所述冗余发射极沟槽在所述列方向上相互间隔设置，所述冗余发射极沟槽由所述第一表面延伸至所述漂移区，冗余发射极设置于所述冗余发射极沟槽； 栅极沟槽，至少一个栅极沟槽设置于两个所述冗余发射极沟槽之间，所述栅极沟槽由所述第一表面延伸至所述漂移区，栅极设置于所述栅极沟槽； 体区，位于两个所述冗余发射极沟槽之间，所述体区被配置为第二导电类型； 浮空区，位于各所述冗余发射极沟槽背向所述栅极沟槽一侧，所述浮空区被配置为所述第二导电类型，其中，所述浮空区的深度大于所述冗余发射极沟槽的深度，且位于相邻所述原胞结构之间的所述浮空区在所述行方向上间断设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞能半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：330052 江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区汇仁大道266号2栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。