深圳帧观德芯科技有限公司曹培炎获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳帧观德芯科技有限公司申请的专利半导体辐射检测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090871.0，技术领域涉及：G01T1/24；该发明授权半导体辐射检测器是由曹培炎;刘雨润设计研发完成，并于2020-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体辐射检测器在说明书摘要公布了：本文公开一种辐射检测器100，其包括：包括第一组电触点118A和第二组电触点118B的电子器件层120；被配置为吸收辐射的辐射吸收层110；半导体衬底103，所述半导体衬底103的部分沿其厚度方向延伸到所述辐射吸收层110中，所述部分形成第一组电极119A和第二组电极119B；其中所述第一组电极119A和所述第二组电极119B相互交叉；其中所述半导体衬底103包括将所述第一组电极119A与所述第二组电极119B分开的p‑n结；其中所述电子器件层120和所述半导体衬底103被结合，使得所述第一组电极119A被电连接到所述第一组电触点118A，并且所述第二组电极119B被电连接到所述第二组电触点118B。
本发明授权半导体辐射检测器在权利要求书中公布了：1.一种辐射检测器，其包括： 包括第一组电触点和第二组电触点的电子器件层； 被配置为吸收辐射的辐射吸收层； 半导体衬底，所述半导体衬底的部分沿其厚度方向延伸到所述辐射吸收层中，所述部分形成第一组电极和第二组电极； 其中所述第一组电极和所述第二组电极相互交叉； 其中所述半导体衬底包括将所述第一组电极与所述第二组电极分开的p-n结； 其中所述电子器件层和所述半导体衬底被结合，使得所述第一组电极被电连接到所述第一组电触点，并且所述第二组电极被电连接到所述第二组电触点。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳帧观德芯科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号