株式会社国际电气平野敦士获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114762092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080082498.4,技术领域涉及:H01L21/31;该发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质是由平野敦士设计研发完成,并于2020-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质在说明书摘要公布了:本发明提高形成于基板的膜的面间面内均匀性。具备:基板保持件,其排列并保持基板;以及反应管,其在内部收纳基板保持件,基板保持件具有:多个柱,其在所排列的基板的周围在与基板大致垂直的方向上分别延伸;顶板,其将多个柱的各自的一端相互固定,且在中心具有开口;以及底板,其将多个柱的各自的另一端相互固定,反应管具有以与开口的形状对应的形状朝内侧突出的前端平坦的突出部,突出部设置为在将基板保持件收纳于反应管的状态下插入于开口,且比顶板更接近于配置在基板保持件的最靠近顶板处的基板。
本发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种基板处理装置,其特征在于,具备: 基板保持件,其排列并保持基板;以及 反应管,其在内部收纳上述基板保持件, 上述基板保持件具有: 多个柱,其在所排列的上述基板的周围在与上述基板大致垂直的方向上分别延伸; 顶板,其将上述多个柱的各自的一端相互固定,且在中心具有开口;以及 底板,其将上述多个柱的各自的另一端相互固定, 上述反应管具有以与上述开口的形状对应的形状朝内侧突出的前端平坦的突出部, 上述突出部设置为在将上述基板保持件收纳于上述反应管的状态下插入于上述开口,且比上述顶板更接近于配置在上述基板保持件的最靠近顶板处的基板,上述突出部的高度被设定为,上述突出部与最靠近顶板地配置于上述基板保持件的上述基板之间的间隔、与在上述基板保持件上彼此相邻的基板间的间隔大致相等。
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