台湾积体电路制造股份有限公司陈志明获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利压电器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010071110.2，技术领域涉及：H10N30/80；该发明授权压电器件及其形成方法是由陈志明设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本压电器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种压电器件，包含衬底、金属‑绝缘体‑金属元件、氢阻挡层、钝化层、第一接触端子以及第二接触端子。金属‑绝缘体‑金属元件安置在衬底上。氢阻挡层安置在金属‑绝缘体‑金属元件上。钝化层覆盖氢阻挡层和金属‑绝缘体‑金属元件。第一接触端子电连接到金属‑绝缘体‑金属元件。第二接触端子电连接到金属‑绝缘体‑金属元件。
本发明授权压电器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种压电器件，包括： 衬底； 金属-绝缘体-金属元件，安置在所述衬底上，其中所述金属-绝缘体-金属元件包括依次堆叠于所述衬底上的第一电极、压电层以及第二电极； 氢阻挡层，安置在所述金属-绝缘体-金属元件上，其中所述氢阻挡层覆盖且接触所述第二电极的顶部表面且接触所述第一电极的顶部表面和所述压电层的顶部表面，位在所述第二电极的所述顶部表面上且与其接触的所述氢阻挡层的厚度大于位在所述压电层的所述顶部表面上且与其接触的所述氢阻挡层的厚度，且位在所述压电层的所述顶部表面上且与其接触的所述氢阻挡层的所述厚度大于位在所述第一电极的所述顶部表面上且与其接触的所述氢阻挡层的厚度； 钝化层，覆盖所述氢阻挡层和所述金属-绝缘体-金属元件； 第一接触端子，电连接到所述金属-绝缘体-金属元件；以及 第二接触端子，电连接到所述金属-绝缘体-金属元件。
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