同和电子科技有限公司渡边康弘获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉同和电子科技有限公司申请的专利深紫外发光元件用反射电极的制造方法、深紫外发光元件的制造方法及深紫外发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113330586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080010391.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权深紫外发光元件用反射电极的制造方法、深紫外发光元件的制造方法及深紫外发光元件是由渡边康弘;中野雅之设计研发完成，并于2020-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本深紫外发光元件用反射电极的制造方法、深紫外发光元件的制造方法及深紫外发光元件在说明书摘要公布了：提供一种可以兼具高的发光输出和优异的可靠性的深紫外发光元件用反射电极。按照本发明的深紫外发光元件用反射电极的制造方法具备：第1工序，在具有超晶格结构的p型接触层上，以3～20nm的厚度形成Ni作为第1金属层；第2工序，在所述第1金属层上以20nm以上且2μm以下的厚度形成Rh作为反射金属；以及第3工序，对所述第1金属层和所述第2金属层进行300℃以上且600℃以下的加热处理。
本发明授权深紫外发光元件用反射电极的制造方法、深紫外发光元件的制造方法及深紫外发光元件在权利要求书中公布了：1.一种深紫外发光元件用反射电极的制造方法，其特征在于，具备： 第1工序，在具有超晶格结构的p型接触层上，以3～20nm的厚度形成Ni作为第1金属层； 第2工序，在所述第1金属层上以20nm以上且2μm以下的厚度形成Rh作为第2金属层；以及 第3工序，对所述第1金属层和所述第2金属层进行300℃以上且600℃以下的加热处理。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人同和电子科技有限公司，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号