半导体元件工业有限责任公司A·恩纳彻获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利数字缓冲电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111726114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911387251.9，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权数字缓冲电路是由A·恩纳彻;A·M·德拉干;A·M·塔彻设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本数字缓冲电路在说明书摘要公布了：本发明题为“数字缓冲电路”。公开了用于对数字信号进行缓冲的电路和技术。这些电路和技术允许数字缓冲电路适应一定范围的输出电压，同时保持输入和输出之间的适于数字通信的延迟。所公开的电路和技术利用了低电压开关和高电压开关的组合。当缓冲器驱动当时具有低电压的外部电路系统例如，通信总线时，低电压开关主导缓冲过程，并且当缓冲器驱动具有高电压的外部电路系统时，高电压开关主导缓冲过程。高电压开关和低电压开关基于由输出的电压电平相对于输入的电压电平决定的操作条件自动地进行自我配置。
本发明授权数字缓冲电路在权利要求书中公布了：1.一种缓冲电路，所述缓冲电路包括： 多个级，所述多个级各自耦接至高电压HV电源和低电压LV电源，其中，每一级包括： 包括HVPMOS晶体管的推挽电路，所述HVPMOS晶体管可被控制为当所述缓冲电路处于高电压HV操作条件下时将所述级的输出上拉至所述HV电源；和 包括LVPMOS晶体管的LV上拉电路，所述LVPMOS晶体管可被控制为当所述缓冲电路处于低电压LV操作条件下时将所述级的输出上拉至所述LV电源，其中，在所述高电压HV操作条件下，所述LV电源通过具有耦接至所述级的输出的HV源极端子的LVNMOS晶体管与所述HV电源解耦。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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