美光科技公司S·E·谢弗获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器装置的行锤击保护获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112889113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980062302.2,技术领域涉及:G11C11/406;该发明授权用于存储器装置的行锤击保护是由S·E·谢弗;A·P·贝姆设计研发完成,并于2019-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器装置的行锤击保护在说明书摘要公布了:本申请案针对用于存储器装置的行锤击保护。存储器装置可识别用于存储器阵列的相关行存取的阈值例如,对同一行地址或行地址空间的存取命令或激活。在第一操作模式中,所述存储器装置可在所述存储器阵列上执行从主机装置接收的命令。所述存储器装置可确定所述所接收的行存取命令的度量满足相关行存取的所述阈值。所述存储器装置可基于满足所述阈值,使所述存储器阵列从所述第一操作模式切换到第二操作模式。所述第二操作模式可约束对所述存储器的至少一行的存取,而所述第一模式可具有较低约束性。另外或替代地,所述存储器装置可向所述主机装置通知所述度量已满足所述阈值。
本发明授权用于存储器装置的行锤击保护在权利要求书中公布了:1.一种方法,其包括: 识别用于存储器阵列的存取的阈值,所述存储器阵列包括动态随机存取存储器单元; 在存取操作模式中,从主机接收用于所述存储器阵列的存取命令; 至少部分地基于接收所述存取命令,确定与所述存储器阵列的第一库相关联的计数器满足所述阈值;和 至少部分地基于确定所述计数器满足所述阈值,使所述存储器阵列从所述存取操作模式切换到多个安全操作模式中的第一安全操作模式,其中所述第一安全操作模式与到包含所述第一库的所述存储器阵列的多个库中的每一库的抑止命令相关联,且所述多个安全操作模式中的第二安全操作模式与到所述存储器阵列的所述第一库的抑止命令相关联。
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