PEP创新私人有限公司周辉星获国家专利权
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龙图腾网获悉PEP创新私人有限公司申请的专利芯片封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910657495.8，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权芯片封装方法及封装结构是由周辉星设计研发完成，并于2019-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种芯片封装方法和封装结构，一种芯片封装方法，包括：在晶片的晶片活性面上形成晶片导电层；在晶片导电层上形成具有材料特性的保护层，所述保护层将晶片导电层包覆，并将所述晶片导电层的表面露出；将形成有晶片导电层和保护层的晶片切割形成裸片；将所述裸片贴装于载板上；在所述载板上的所述裸片背面形成具有材料特性的塑封层；剥离所述载板；形成和所述晶片导电层电连接的面板级导电层；形成介电层。所述封装结构具有一系列的结构和材料特性，从而减小封装过程中的翘曲，降低裸片对位精确度需求，减小封装工艺的难度，并且使封装后的芯片具有耐久的使用周期，尤其适用于大型面板级封装及对大电通量、薄型芯片的封装。
本发明授权芯片封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 至少一个裸片，所述裸片包括裸片活性面和裸片背面； 所述裸片活性面包括电连接点和绝缘层； 导电结构，包括晶片导电层和面板级导电层； 所述晶片导电层包括晶片导电迹线和晶片导电凸柱，所述晶片导电迹线和裸片活性面的至少一部分电连接点电连接，所述晶片导电凸柱和所述晶片导电迹线电连接； 所述面板级导电层和所述晶片导电凸柱电连接； 保护层，所述保护层位于所述晶片导电迹线和所述晶片导电凸柱之上，用于包覆所述晶片导电迹线和所述晶片导电凸柱，所述保护层侧面和裸片侧面平齐； 所述保护层的材料为有机无机复合材料，所述保护层的热膨胀系数为3～10ppmK； 塑封层，所述塑封层用于包封所述裸片和所述保护层，所述塑封层靠近保护层的表面和所述保护层远离所述裸片活性面的表面共面； 介电层，形成于所述面板级导电层上，所述介电层用于包封所述面板级导电层。
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