新唐科技日本株式会社广木均典获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111018478.3，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权半导体装置是由广木均典;林茂生;中岛健二;福久敏哉;政元启明;山田笃志设计研发完成，并于2018-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置1具备：安装基板20；以及半导体元件10，隔着金属凸块30被配置在安装基板20，半导体元件10，具有半导体层叠结构11以及第1电极，安装基板20，具有第2电极，金属凸块30具有与半导体元件10的第1电极相接的第1层31、以及位于该第1电极的相反侧的第2层32，构成第1层31的结晶的平均结晶粒径，比构成第2层32的结晶的平均结晶粒径大，第2层32位于与半导体元件10的第1电极隔开的位置。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置， 所述半导体装置具备： 安装基板；以及 半导体元件，隔着金属凸块被配置在所述安装基板， 所述半导体元件，具有半导体层叠结构以及第1电极， 所述安装基板，具有第2电极， 所述第1电极，由包含障壁电极的层叠结构来构成， 被配置在与所述障壁电极在厚度方向上重叠的位置的所述金属凸块是单一形成的部件，所述金属凸块包含与所述第2电极相接的第2层、位于所述第2电极的相反侧的第1层、以及位于所述第1层与所述第2层之间的过渡区域， 构成所述第2层的结晶的平均结晶粒径，比构成所述第1层的结晶的平均结晶粒径大， 关于所述过渡区域的平均结晶粒径，随着从所述第1层侧朝向所述第2层侧，从所述第1层的平均结晶粒径逐渐接近于所述第2层的平均结晶粒径， 所述第1层位于与所述第2电极隔开的位置。
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