台湾积体电路制造股份有限公司林祐宽获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110164864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811075644.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权集成电路结构是由林祐宽;杨昌达;王屏薇;赵高毅;王美匀设计研发完成，并于2018-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种集成电路结构，包括：第一栅极，覆盖主动区域中的第一通道区域；第一晶体管，包括第一通道区域、第一源极区域、第一漏极区域、及第一栅极；导电接点，直接连接第一晶体管的第一漏极区域；第二栅极，与第一栅极相隔，第二栅极覆盖第二通道区域；第二晶体管，包括第二通道区域、第二源极区域、第二漏极区域、及第二栅极；导电导孔，直接连接第二栅极；扩大导电导孔，覆盖导电接点及导电导孔，使彼此电性连接，扩大导电导孔从导电接点至导电导孔于一平面延伸；及第一电性绝缘层，包围扩大导电导孔。
本发明授权集成电路结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 一基板； 一半导体主动区域，覆盖于该基板上； 一第一栅极，覆盖该半导体主动区域中的一第一通道区域； 一第一晶体管，包括该第一通道区域、邻近该半导体主动区域中该第一通道区域的一第一侧的一第一源极区域、邻近该第一通道区域的一第二侧的一第一漏极区域、及该第一栅极； 一导电接点，直接连接该第一晶体管的该第一漏极区域； 一第二栅极，与该第一栅极相隔，该第二栅极覆盖一第二通道区域，该第二栅极覆盖该第一晶体管的该第一漏极区域的侧壁； 一第二晶体管，包括该第二通道区域、邻近该半导体主动区域中该第二通道区域的一第一侧的一第二源极区域、邻近该第二通道区域的一第二侧的一第二漏极区域、及该第二栅极； 一第一导电导孔，直接连接该第二栅极； 一扩大导电导孔，覆盖该导电接点及该第一导电导孔，使彼此电性连接，该扩大导电导孔从该导电接点至该第一导电导孔于一平面延伸；及 一第一电性绝缘层，包围该扩大导电导孔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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