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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510764355.6，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种半导体结构制造方法及半导体结构是由王士京;王兆祥;梁洁;张名瑜;李俭;胥沛雯设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构制造方法及半导体结构，制造方法包括：使用刻蚀工艺，对衬底进行预设次数的周期性循环刻蚀，在衬底上形成第一中间结构，并对第一中间结构进行第一处理，包括使用第一气体和第二气体，去除第一中间结构侧壁上沉积的钝化层的部分厚度，并与侧壁上存在且露出的凸起部表面的衬底材料反应，生成反应产物层；以及使用第三气体和第四气体，去除反应产物层，以去除至少部分的凸起部；重复执行刻蚀工艺和第一处理工艺，直至在衬底上形成高深宽比刻蚀结构。本申请通过将刻蚀工艺与侧壁处理技术进行有机结合，交替循环以平衡刻蚀速率与侧壁质量，能够实现更高深宽比和更小纳米级尺寸的深硅刻蚀。

本发明授权一种半导体结构制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面上形成多个有机物掩膜图形； 使用刻蚀工艺，并以所述有机物掩膜图形为掩膜，对所述衬底进行预设次数的周期性循环刻蚀，在所述衬底上形成第一中间结构； 使用不同于所述刻蚀工艺的第一处理工艺，对所述第一中间结构进行第一处理，包括： 使用第一气体和第二气体，去除所述第一中间结构的侧壁上沉积的钝化层的部分厚度，并与所述侧壁上存在且露出的凸起部表面的衬底材料反应，生成反应产物层，所述第一气体包括氧气，所述第二气体包括溴化氢；以及 使用第三气体和第四气体，去除所述反应产物层，以去除至少部分的所述凸起部，所述第三气体包括氟基气体，所述第四气体包括稀有气体； 重复执行所述刻蚀工艺和所述第一处理工艺，在所述第一中间结构下方依次接续形成一至多个第二中间结构，并在每形成一个新的第二中间结构后，都对该新的第二中间结构进行所述第一处理，直至在所述衬底上形成由各中间结构组成的高深宽比刻蚀结构。

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