江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利Micro-LED外延片及Micro-LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510726858.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权Micro-LED外延片及Micro-LED是由胡加辉;郑文杰;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-LED外延片及Micro-LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED外延片及Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型半导体层、多量子阱层和P型GaN层；N型半导体层依次包括第一超晶格层和第二超晶格层；第一超晶格层包括第一Si掺GaN层、Si3N4层、第二Si掺GaN层和InN湮灭层；InN湮灭层中设有多个孔洞；第二超晶格层包括第三Si掺GaN层和AlInGaN层；第一Si掺GaN层、第二Si掺GaN层的Si掺杂浓度小于第三Si掺GaN层的Si掺杂浓度；第三Si掺GaN层的Si掺杂浓度≥1×1019cm‑3。实施本发明，可提升光效与波长均匀性。
本发明授权Micro-LED外延片及Micro-LED在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型半导体层、多量子阱层和P型GaN层； 其中，所述N型半导体层包括依次层叠于所述非掺杂GaN层上的第一超晶格层和第二超晶格层；所述第一超晶格层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的第一Si掺GaN层、Si3N4层、第二Si掺GaN层和InN湮灭层；所述InN湮灭层中设有多个孔洞； 所述第二超晶格层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的第三Si掺GaN层和AlInGaN层；所述第一Si掺GaN层、所述第二Si掺GaN层的Si掺杂浓度小于所述第三Si掺GaN层的Si掺杂浓度；所述第三Si掺GaN层的Si掺杂浓度≥1×1019cm-3。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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