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龙图腾网获悉江西萨瑞半导体技术有限公司申请的专利一种低残压ESD器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510713480.4，技术领域涉及：H10D18/01；该发明授权一种低残压ESD器件及其制备方法是由宋锐;朱辉兵;陈健;黄宇轩设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低残压ESD器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低残压ESD器件及其制备方法，该制备方法包括：提供P型衬底，通过掩膜层暴露出N型注入区与P型注入区；向N型注入区与P型注入区内同时注入惰性离子，形成非晶结构层；向N型注入区注入磷离子，在N型注入区内非晶结构层的表面形成N型触发区，以及向P型注入区注入硼离子，在P型注入区内非晶结构层的表面形成P型阳极区；对P型衬底进行多次退火处理，并在P型衬底的表面制作钝化层；对钝化层进行刻蚀开孔，得到接触孔以暴露出N型注入区与P型注入区的表面，在接触孔内生长电极层，得到低残压ESD器件。本发明通过非晶结构层与低能离子注入形成超浅结，能够大幅地降低ESD器件的导通电阻，减小电压钳位残压。

本发明授权一种低残压ESD器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低残压ESD器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供P型衬底； 在所述P型衬底的表面涂覆光刻胶、曝光与显影，得到掩膜层，暴露出相互隔断的N型注入区与P型注入区； 向所述P型衬底的N型注入区与P型注入区内同时注入惰性离子，形成非晶结构层； 向所述N型注入区注入磷离子，在所述N型注入区内所述非晶结构层的表面形成N型触发区，以及向所述P型注入区注入硼离子，在P型注入区内所述非晶结构层的表面形成P型阳极区，并去除所述掩膜层； 对所述P型衬底进行多次退火处理，并在所述P型衬底的表面制作钝化层； 对所述钝化层进行刻蚀开孔，得到接触孔以暴露出N型注入区与P型注入区的表面，在所述接触孔内生长电极层，得到低残压ESD器件； 其中，向所述P型衬底的N型注入区与P型注入区内同时注入惰性离子，形成非晶结构层的步骤，包括： 向所述P型衬底的N型注入区与P型注入区同时注入硅离子，形成非晶结构层； 其中，向N型注入区与P型注入区内进行硅离子注入的注入能量为16keV-24keV，注入剂量为4×1014cm-2-6×1014cm-2； 其中，向所述N型注入区注入磷离子，在所述N型注入区内所述非晶结构层的表面形成N型触发区的步骤中，磷离子注入的注入能量为3keV-4keV，注入剂量为1×1015cm-2-3×1015cm-2； 向所述P型注入区注入硼离子，在P型注入区内所述非晶结构层的表面形成P型阳极区的步骤中，硼离子注入的注入能量为1keV-4keV，注入剂量为4×1014cm-2-6×1014cm-2。

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