西安电子科技大学张军琴获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120197405B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510685635.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法是由张军琴;翟路豪;单光宝;金鑫;陈文婷;杨银堂设计研发完成，并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法，属于微电子技术领域，包括：建立硅通孔的瞬态热传导方程以及温度场边界条件；求解瞬态热传导方程，得到瞬态温度场解析模型，根据瞬态温度场解析模型得到瞬态温度场分布；基于硅通孔的工作环境，建立平衡方程和力学边界条件，根据平衡方程、瞬态温度场解析模型确定硅通孔的位移场和应力场解析模型的基本形式；根据力学边界条件、位移场和应力场解析模型的基本形式，将瞬态温度场与瞬态应力场耦合，得到非定常热应力解析模型；根据非定常热应力解析模型得到非定常热应力。本发明解决了热应力解析模型中未考虑温度场分布和热应力随时间变化的问题，实现了对硅通孔中热应力分布的实时预测。
本发明授权一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法在权利要求书中公布了：1.一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法，其特征在于，包括： 根据硅通孔的结构和所处工作环境，建立硅通孔的瞬态热传导方程以及温度场边界条件； 根据所述硅通孔的瞬态热传导方程以及温度场边界条件，得到硅通孔的瞬态温度场解析模型，根据瞬态温度场解析模型得到硅通孔的瞬态温度场分布，以验证瞬态温度场解析模型的准确性； 基于硅通孔的工作环境，建立硅通孔的平衡方程和力学边界条件，根据平衡方程、瞬态温度场解析模型确定硅通孔的位移场解析模型的基本形式和应力场解析模型的基本形式； 根据力学边界条件、硅通孔的位移场解析模型的基本形式和应力场解析模型的基本形式，将瞬态温度场与瞬态应力场耦合，得到硅通孔的非定常热应力解析模型；根据非定常热应力解析模型得到硅通孔的非定常热应力。
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