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龙图腾网获悉苏州晨晖智能设备有限公司申请的专利基于工艺分析的硅掺杂剂挥发补偿评估方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120193327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510683491.2，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权基于工艺分析的硅掺杂剂挥发补偿评估方法及系统是由张鹏;闫洪嘉;许堃设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于工艺分析的硅掺杂剂挥发补偿评估方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及单晶硅制造技术领域，尤其涉及一种基于工艺分析的硅掺杂剂挥发补偿评估方法及系统，包括：获取单晶硅拉制过程中的掺杂目标指令，并对其进行解析，获得各个拉制阶段的掺杂剂目标浓度值和掺杂剂目标均匀特征值；针对各个拉制阶段，设置对应的监测频率，并以此监测拉制工艺参数，获得实时工艺参数集合；对实时工艺参数集合进行掺杂挥发分析，获得该工艺条件下的掺杂剂实际浓度值和掺杂剂实际均匀特征值；基于掺杂剂目标浓度值和掺杂剂实际浓度值，以及掺杂剂目标均匀特征值和掺杂剂实际均匀特征值，计算得到浓度偏差以及均匀特征偏差；其能够随拉制过程的推进和工艺参数的变化动态调整，实现对掺杂剂挥发的高效补偿。

本发明授权基于工艺分析的硅掺杂剂挥发补偿评估方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于工艺分析的硅掺杂剂挥发补偿评估方法，其特征在于，包括： 获取单晶硅拉制过程中的掺杂目标指令，并对其进行解析，获得各个拉制阶段的掺杂剂目标浓度值和掺杂剂目标均匀特征值； 针对各个所述拉制阶段，设置对应的监测频率，并以此监测拉制工艺参数，获得实时工艺参数集合； 对所述实时工艺参数集合进行掺杂挥发分析，获得该工艺条件下的掺杂剂实际浓度值和掺杂剂实际均匀特征值； 基于所述掺杂剂目标浓度值和所述掺杂剂实际浓度值，以及所述掺杂剂目标均匀特征值和所述掺杂剂实际均匀特征值，计算得到浓度偏差以及均匀特征偏差； 结合所述实时工艺参数集合，对浓度偏差和均匀特征偏差进行补偿分析，获得掺杂剂挥发补偿策略，并据此对该拉制阶段进行补偿； 对所述实时工艺参数集合进行掺杂挥发分析的计算公式为： ； 其中，表示掺杂剂实际浓度值； 表示对应拉制阶段初始的掺杂剂注入量； 表示动态熔体体积，由实时液位高度计算得到； 为挥发速率函数，表示掺杂剂在硅熔体表面的挥发速率；其中，表示在时间τ时的熔体温度，表示在时间时的氩气流量；为虚拟时间变量，用于表示从拉制阶段开始=0到当前时间=t之间的任意时刻，∈[0,t]；t表示当前时刻； 表示在时间τ时，硅熔体表面的掺杂剂浓度，反映当前时刻参与挥发的掺杂剂浓度水平； 表示从拉制阶段开始到当前时间内，由于熔体流动导致的掺杂剂对流扩散对掺杂剂实际浓度的贡献量； 表示在时间τ时的熔体流速场，用于描述硅熔体内各点在τ时刻的流动速度和方向，由籽晶转速、坩埚转速和拉晶速度共同决定； 表示掺杂剂浓度的梯度，用于描述在时间τ时掺杂剂浓度在空间上的变化率； 引晶阶段的补偿逻辑为：当浓度偏差大于0时，优先调整熔体温度；当浓度偏差小于0时，降低加热功率抑制挥发，以达到对浓度的控制；通过稳定籽晶转速减少熔体湍流，以达到对均匀性的控制； 放肩阶段的补偿逻辑为：按液位下降速率动态补掺，以达到对浓度的控制；通过籽晶与坩埚转速差调控熔体对流，以达到对均匀性的控制； 等径阶段的补偿逻辑为：基于熔体电阻率反馈闭环调节注入量，以达到对浓度的控制；通过维持拉晶速度稳定性，以达到对均匀性的控制； 收尾与冷却阶段的补偿逻辑为：阶梯式减少注入量，以达到对浓度的控制；通过限制冷却速率，抑制尾部晶格应力，以达到对均匀性的控制。

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