杭州电子科技大学;瑞安市人民医院(瑞安市人民医院医疗服务集团瑞安市红十字医院);绍兴君尚英高新材料科技有限公司高稔现获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学;瑞安市人民医院(瑞安市人民医院医疗服务集团瑞安市红十字医院);绍兴君尚英高新材料科技有限公司申请的专利一种纳米针尖开口环3D结构周期性阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120097277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510594295.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种纳米针尖开口环3D结构周期性阵列的制备方法是由高稔现;王雨飞;孔哲;汤呈宣;赵晓宇;钟熙强;何少奇;温嘉红;张鉴;朱大鹏;崔茹飞;王雅新;谢敏;张坤;张永军设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米针尖开口环3D结构周期性阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微纳结构领域，涉及一种纳米针尖开口环3D结构周期性阵列的制备方法。该方法通过在硅衬底上沉积反射层和支撑层后自组装聚苯乙烯纳米球，并利用反应离子刻蚀减小纳米球体积，随后进行两次倾斜磁控溅射，再使用反应离子刻蚀机刻蚀沉积的贵金属，去除纳米球掩膜后获得纳米针尖开口环3D结构周期性阵列。该方法制备过程简单，均匀性好、有序度高、可重复性强的特点，在SERS、光电性能检测等领域具有广泛的应用潜力。
本发明授权一种纳米针尖开口环3D结构周期性阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米针尖开口环3D结构周期性阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在硅片上沉积Al作为反射层，再沉积SiO2作为支撑层，然后在支撑层上自组装纳米球作为掩模板； S2、通过反应离子刻蚀使纳米球体积减小，在硅片表面得到体积减小的纳米球掩模板； S3、将带有纳米球掩模板表面的硅片置于倾斜一定角度α的磁控溅射样品台上，沉积贵金属； S4、将带有纳米球掩模板表面的硅片在样品台上旋转一定角度γ后，重复步骤S3，再次沉积贵金属； S5、使用反应离子刻蚀，利用氩气刻蚀未被纳米球掩模板遮挡的贵金属； S6、刻蚀完毕后，对纳米球进行物理剥离，获得纳米针尖开口环3D结构周期性阵列； S7、使用六氟化硫气体对二氧化硅进行刻蚀实现结构半悬浮态，减少介电损耗。
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