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龙图腾网获悉深圳市云在上半导体材料有限公司;湖南湘芯新材料有限公司申请的专利用于半导体加工的静电吸盘结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120089640B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510581778.4，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权用于半导体加工的静电吸盘结构是由张桂华;刘畅;胡炳煌;王天意设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体加工的静电吸盘结构在说明书摘要公布了：本发明提供了用于半导体加工的静电吸盘结构，包括基座、吸附电极层以及陶瓷介电层，吸附电极层设置在基座和陶瓷介电层之间；还包括：挡圈，挡圈固定安装至陶瓷介电层的顶部边沿上；气室，气室设置在陶瓷介电层的内部，气室顶部连通设置有若干个出气孔，若干个出气孔均匀分布至陶瓷介电层顶面上，且若干个出气孔均配合连接有一个凸台，凸台延伸至陶瓷介电层的上方，凸台用于承载晶圆片；升降机构，升降机构与凸台连接。通过气室以及设置在陶瓷介电层上的若干个均匀分布的出气孔，晶圆在静电吸附后，通过进气管向气室内通入用于散热降温的气体，气体由气室分流至若干个出气孔，通过出气孔为晶圆底面直接提供吹风，保障了散热效果。

本发明授权用于半导体加工的静电吸盘结构在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体加工的静电吸盘结构，包括基座（1）、吸附电极层（2）以及陶瓷介电层（3），所述吸附电极层（2）设置在基座（1）和陶瓷介电层（3）之间；其特征在于，还包括： 挡圈（4），所述挡圈（4）固定安装至所述陶瓷介电层（3）的顶部边沿上； 气室（10），所述气室（10）设置在所述陶瓷介电层（3）的内部，所述气室（10）顶部连通设置有若干个出气孔（12），若干个所述出气孔（12）均匀分布至所述陶瓷介电层（3）顶面上，且若干个出气孔（12）均配合连接有一个凸台（8），且凸台（8）延伸至陶瓷介电层（3）的上方，所述凸台（8）用于承载晶圆片（a）； 升降机构（11），所述升降机构（11）与所述凸台（8）连接，所述升降机构（11）使凸台（8）顶端与挡圈（4）顶面平齐或高于挡圈（4）顶面的两个状态下切换； 进气管（5），所述进气管（5）与所述气室（10）连通；所述升降机构（11）具有一设置在进气管（5）内的驱动部，所述驱动部通过所述进气管（5）端口进入气体的气压提供驱动力； 排气管（6），所述排气管（6）的一端口延伸至所述挡圈（4）内； 所述挡圈（4）内壁、所述陶瓷介电层（3）的顶面以及晶圆片（a）的底面之间围成腔体（13），所述腔体（13）与所述排气管（6）连通，所述出气孔（12）的顶端固定连通有出气罩（7），所述出气罩（7）的口径从上到下逐渐减小，且出气罩（7）的顶端口设置有与晶圆片（a）平齐底面平行的顶沿（701），所述顶沿（701）与所述晶圆片（a）的底面之间形成窄道（14）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市云在上半导体材料有限公司;湖南湘芯新材料有限公司，其通讯地址为：518106 广东省深圳市光明区马田街道新庄社区大围平塘A5栋202；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。