深圳市昇维旭技术有限公司深泽孝之获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利基座、等离子处理设备及等离子处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120108998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510548416.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权基座、等离子处理设备及等离子处理方法是由深泽孝之设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基座、等离子处理设备及等离子处理方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种基座、等离子处理设备及等离子处理方法，基座包括底座、第一电极、第二电极和第三电极，底座的顶面包括承载区以及环绕承载区的边缘区，第一电极设置在底座中，第二电极自边缘区延伸至底座的侧面，第三电极设置在第二电极远离底座的侧面一侧。基座用于等离子体处理设备时，在等离子体处理完成后，第一电极和第二电极表面可形成的等离子体，以防止尘埃粒子掉落到基板上，第三电极连接的直流电源或低频交流电源使第三电极带正电，以吸引带负电的尘埃粒子，再在第三电极的表面形成等离子体，可排出吸附在第三电极的表面的尘埃粒子，从而降低尘埃粒子掉落在基板上的风险，提高了产品的良率。
本发明授权基座、等离子处理设备及等离子处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理设备，包括基座，所述基座用于在等离子体处理设备中承载基板，其特征在于，所述基座包括： 底座，包括顶面和侧面，所述底座的顶面包括用于承载所述基板的承载区，以及环绕所述承载区的边缘区； 第一电极，设置在所述底座中且对应于所述承载区设置； 第二电极，自所述边缘区延伸至所述底座的侧面，所述第二电极与所述第一电极绝缘，所述第二电极表面能够形成等离子体以浮起尘埃粒子； 第三电极，设置在所述第二电极远离所述底座的侧面一侧，所述第三电极与所述第二电极之间绝缘； 所述等离子体处理设备还包括反应腔室和挡板，所述基座设置在所述反应腔室内，所述挡板设置在所述反应腔室与所述底座的侧面之间，所述挡板与所述基座间隔设置，所述第三电极位于所述挡板远离所述承载区一侧，所述第三电极能够吸附所述第二电极浮起的所述尘埃粒子且所述第三电极表面能够形成等离子体以排出吸附的所述尘埃粒子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号