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珠海华冠电容器股份有限公司潘登获国家专利权

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龙图腾网获悉珠海华冠电容器股份有限公司申请的专利一种固液混合SMD芯片及其加工方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120072655B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510533816.9,技术领域涉及:H01L21/50;该发明授权一种固液混合SMD芯片及其加工方法是由潘登;杨俊峰;田雪飞设计研发完成,并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种固液混合SMD芯片及其加工方法在说明书摘要公布了:本发明属于芯片技术领域,公开了一种固液混合SMD芯片及其加工方法,包括依次通过微流控技术将液态功能单元封装于高分子复合膜内,形成具有半固态保护层的复合基底结构;基于复合基底结构的物理特性与历史工艺数据集,通过参数预测模型生成动态贴装参数集,采用低温焊料将复合基底结构贴装至目标基板,同步根据动态贴装参数集调控局部焊接温度场;在焊接过程中通过分布式传感器实时采集热应力数据,结合有限元仿真模型驱动执行机构对复合基底结构与基板的形变差进行动态补偿,之后在表面喷涂跨尺度功能涂层,并通过分级固化工艺实现固液界面的力学匹配与封装稳定性,提升芯片器件的良率和稳定性。

本发明授权一种固液混合SMD芯片及其加工方法在权利要求书中公布了:1.一种固液混合SMD芯片的加工方法,其特征在于,包括如下步骤: S1,依次通过微流控技术将液态功能单元封装于高分子复合膜内,形成具有半固态保护层的复合基底结构; S2,基于所述复合基底结构的物理特性与历史工艺数据集,通过参数预测模型生成动态贴装参数集,所述动态贴装参数集包含温度梯度、应力补偿系数及贴装压力范围; S3,采用低温焊料将复合基底结构贴装至目标基板,同步根据动态贴装参数集调控局部焊接温度场,使液态功能单元所在区域的温度阈值低于其相变临界值; S4,在焊接过程中通过分布式传感器实时采集热应力数据,结合有限元仿真模型驱动执行机构对复合基底结构与基板的形变差进行动态补偿; S5,在完成形变补偿的组件表面喷涂跨尺度功能涂层,并通过分级固化工艺实现固液界面的力学匹配与封装稳定性; 其中,所述步骤S1具体包括: S11,制备由硅烷偶联剂改性的SiO2PDMS复合膜作为高分子复合膜基材,并在其表面激光刻蚀形成与目标液态功能单元体积匹配的微腔结构; S12,将液态金属功能单元与纳米级导热颗粒混合后,通过微流控注射器以脉宽调制模式注入所述微腔结构中,形成三维约束的液态单元预制体; S13,在所述液态单元预制体表面覆盖第二层SiO2PDMS复合膜,通过等离子体活化处理使双层复合膜界面形成化学键合,构建全封闭微流道结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人珠海华冠电容器股份有限公司,其通讯地址为:519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇鼎业路81号11栋、12栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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