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东北大学孙思雨获国家专利权

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龙图腾网获悉东北大学申请的专利一种金属合金基体表面的化学转化膜的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120231041B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510510427.4,技术领域涉及:C23C22/77;该发明授权一种金属合金基体表面的化学转化膜的制备方法是由孙思雨;周鹏;张涛;辛丽设计研发完成,并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种金属合金基体表面的化学转化膜的制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及化学转化膜技术领域,具体涉及一种金属合金基体表面的化学转化膜的制备方法。本发明主要是以不同的金属磷酸盐作为外层膜,通过计算内层膜的择优晶面与不同外层膜的择优晶面的错配度,根据比较结果,获取错配度最低的金属盐作为主盐,通过添加其他金属盐,以配置出合适的转化膜溶液,用于在金属合金基体表面生成高附着力的磷酸盐转化膜。本发明的制备方法能够消除金属合金基体的表面生成的双层膜之间的界面,由此,在降低化学转化膜的错配度,确保化学转化膜耐蚀性能的情况下,提高化学转化膜的附着力,解决双层结构的沉积型磷酸盐转化膜的双层膜之间附着力较差的问题,并利用本发明的设计构思及制备方法,减少试错成本。

本发明授权一种金属合金基体表面的化学转化膜的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种金属合金基体表面的化学转化膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 根据金属合金基体的材料确定内层膜,以不同的金属磷酸盐作为外层膜;金属合金基体为镁合金基体,内层膜为MgHPO4; 获取内层膜的X射线衍射特征峰的晶面作为内层膜的择优晶面,以及获取外层膜的X射线衍射特征峰的晶面作为外层膜的择优晶面; 构建内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面的匹配结构,并获取内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面的原子间距及夹角,然后采用错配度计算公式,计算出内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面的错配度; 获取错配度最低的金属盐作为外层膜的主盐;选择至少一种其他金属盐,并与主盐共同作为成膜物质,通过加入无机磷酸盐和助剂,以配置转化膜溶液;将金属合金基体置于转化膜溶液中进行成膜反应,以在金属合金基体表面生成高附着力的磷酸盐转化膜; 构建内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面的匹配结构的方法如下: 获取内层膜的择优生长取向和择优晶面,以及获取外层膜的择优生长取向和择优晶面; 构建内层膜的择优晶面和外层膜的择优晶面的二维点阵错配度数学模型,从而构建得到内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面的匹配结构; 获取内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面的原子间距及夹角的方法如下: 根据构建的内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面的匹配结构,每个择优晶面选取多个低指数晶向,计算内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面在多个低指数晶向取向上的原子间距及夹角; 错配度计算公式是: ; 其中,hkl s 表示内层膜的形核相的低指数晶面;hkl n 表示外层膜的形核相的低指数晶面;表示内层膜的择优晶面与外层膜的择优晶面的错配度;表示第i个hkl s 面上的低指数晶向;表示第i个hkl n 面上的低指数晶向;表示内层膜与外层膜在第i个hkl s 面上的低指数晶向取向上的原子间距;表示内层膜与外层膜在第i个hkl n 面上的低指数晶向取向上的原子间距;θ表示与的夹角; 所述低指数晶面是根据X射线衍射特征峰得到的择优晶面;所述低指数晶向是通过晶体结构软件对择优晶面上的取向进行测量得到。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东北大学,其通讯地址为:110000 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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