四川大学田晓宝获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种压电催化聚偏二氟乙烯材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119978488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510473264.7，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种压电催化聚偏二氟乙烯材料及其制备方法和应用是由田晓宝;沈寄傲;陈世雄;王凯;梁英设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电催化聚偏二氟乙烯材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及新材料技术领域，尤其是涉及一种压电催化聚偏二氟乙烯材料及其制备方法和应用，包括获取纳米花ZnO和获取压电催化薄膜。通过采用纳米花ZnO和碳纳米管作为PVDF膜的填料，有效提升薄膜材料表面与压电降解的目标污染物之间的接触面积，增大压电电荷的供给以及PVDF基质内的电荷传输效率，以此提升降解有机污染物的能力和效率。实现低频水流下压电催化直接降解有机污染物；同时，薄膜材料结构易于回收且展现了良好的循环稳定性，解决了通常与无机压电粉末相关的二次污染问题，克服了传统压电催化体系的局限性，为有机污染物降解提供了一种可扩展且环保的方法。
本发明授权一种压电催化聚偏二氟乙烯材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种压电催化聚偏二氟乙烯材料的制备方法，其特征在于，包括获取纳米花ZnO和获取压电催化薄膜， 所述获取纳米花ZnO包括以下步骤：将质量比为1.5~3:1的锌盐和锌离子络合剂溶于水中，形成混合液，再将混合液pH值调节至12~13，然后在100℃~150℃下反应16h~30h，洗涤，干燥，得到纳米花ZnO； 所述获取压电催化薄膜包括以下步骤：将质量比为0.05~0.15:1:5~20的高导电性纳米材料、所述纳米花ZnO和PVDF均匀分散于溶剂中，形成前驱液，消泡，固化，获得压电催化薄膜；所述高导电性纳米材料为碳纳米管（CNTs）。
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