长飞先进半导体(武汉)有限公司罗成志获国家专利权
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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510458855.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由罗成志;伍术设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，该半导体器件包括第一半导体本体，第一区域设置于第一表面，阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧；第一区域和阱区的导电类型相反；第二半导体本体覆盖部分第一区域和阱区；栅极结构位于第一表面或者从第一表面延伸至第一半导体本体中；栅极结构包括栅氧层和栅极，栅氧层位于第二半导体本体远离第一半导体本体的一侧且覆盖第二半导体本体的侧面，栅极位于栅氧层远离第二半导体本体的一侧；源极，位于第一表面；漏极，位于第二表面。本发明改善了沟道表面的平整度，提高了半导体器件的导电性能。
本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一半导体本体还包括阱区和第一区域，所述第一区域设置于所述第一表面，所述阱区设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一区域和所述阱区的导电类型相反； 第二半导体本体，所述第二半导体本体覆盖部分所述第一区域和所述阱区； 栅极结构，所述栅极结构位于所述第一表面或者从所述第一表面延伸至所述第一半导体本体中；所述栅极结构包括栅氧层和栅极，所述栅氧层位于所述第二半导体本体远离所述第一半导体本体的一侧且覆盖所述第二半导体本体的侧面，所述栅极位于所述栅氧层远离所述第二半导体本体的一侧； 源极，位于所述第一表面； 漏极，位于所述第二表面； 所述第二半导体本体的掺杂浓度小于所述第一区域的掺杂浓度； 所述第二半导体本体的掺杂类型和所述阱区的掺杂类型相同。
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