重庆平创半导体研究院有限责任公司王晓获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利碳化硅功率模块测试方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119902047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510386706.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权碳化硅功率模块测试方法、装置、电子设备及存储介质是由王晓;龙海洋;庞久设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅功率模块测试方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种碳化硅功率模块测试方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体测试技术领域。该方法包括：对待测试产品进行特性参数检测，得到第一特性参数，按预测策略对待测试产品进行模拟工况测试，对经过模拟工况测试的待测试产品进行特性参数检测，得到第二特性参数，将第一特性参数以及第二特性参数进行对比，确定出待测试产品是否正常。通过对待测试产品进行模拟工况测试，对待测试产品测试前后的特性参数进行对比，从而实现碳化硅功率模块产品的初始缺陷快速筛查，有效提升碳化硅功率模块产品的服役稳定性和可靠性，降低产品服役过程因初始缺陷导致失效的风险。
本发明授权碳化硅功率模块测试方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率模块测试方法，其特征在于，所述方法包括： 对待测试产品进行特性参数检测，得到第一特性参数； 按预测策略对所述待测试产品进行模拟工况测试； 对经过模拟工况测试的待测试产品进行特性参数检测，得到第二特性参数； 根据所述第一特性参数以及所述第二特性参数，分别计算出阈值电压漂移量、漏源泄漏电流漂移量和栅源泄露电流漂移量；其中，所述第一特性参数包括阈值电压、漏源泄漏电流以及栅源泄露电流，所述第二特性参数包括经过模拟工况测试后的阈值电压、漏源泄漏电流以及栅源泄露电流； 若所述阈值电压漂移量小于等于第一预设值、且所述漏源泄漏电流漂移量小于等于第二预设值、且所述栅源泄露电流漂移量小于等于第三预设值，确定所述待测试产品正常； 若所述阈值电压漂移量大于第一预设值、和或所述漏源泄漏电流漂移量大于第二预设值、和或所述栅源泄露电流漂移量大于第三预设值，确定所述待测试产品存在缺陷。
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