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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119877095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510382485.3，技术领域涉及：C30B25/14；该发明授权碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备是由李哲洋;王迦卉;于乐;金锐设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备，该方法包括：将碳化硅衬底放置在托盘上；利用掺杂源气路将掺杂源气体输送至气源混合区，利用生长源气路将生长源气体输送至气源混合区，掺杂源气体包括RxNHy，x和y均为自然数，x+y=3，R表示基团或元素，气源混合区的温度不小于阈值温度，阈值温度表征无SiNz（z表示Si与N之间的比例）寄生物生成所需要的最小温度；在生长源气体和掺杂源气体到达气源反应区的情况下，控制生长源气体与掺杂源气体进行反应，以在碳化硅衬底的远离托盘的表面上生成碳化硅外延片。本申请解决了现有技术中n型碳化硅外延层掺杂浓度不均匀以及掺杂记忆效应较强导致器件性能较差的问题。

本发明授权碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，碳化硅外延生长设备用于所述的碳化硅外延片的制备方法，所述碳化硅外延生长设备包括：进气通道，至少包括掺杂源气路和生长源气路，所述掺杂源气路用于输送掺杂源气体，所述生长源气路用于输送生长源气体；托盘；气源混合区，设置在所述掺杂源气路的出口和所述生长源气路的出口，所述掺杂源气路用于输送掺杂源气体至所述气源混合区，所述生长源气路用于输送生长源气体至所述气源混合区，所述气源混合区的温度不小于阈值温度，所述阈值温度表征无SiNz寄生物生成所需要的最小温度，z表示SiNz中Si与N之间的比例；气源反应区，设置在碳化硅衬底的远离所述托盘的一侧，所述气源反应区的温度不小于生长温度，所述生长温度表征生成碳化硅外延片所需要的最小温度，所述气源混合区与所述气源反应区位于不同区域，所述方法包括： 将碳化硅衬底放置在所述托盘上； 利用所述掺杂源气路将所述掺杂源气体输送至所述气源混合区，并利用所述生长源气路将所述生长源气体输送至所述气源混合区，所述掺杂源气体包括RxNHy，x和y均为自然数，x+y=3，R表示基团或元素，所述生长源气体至少包括碳源和硅源； 在所述生长源气体和所述掺杂源气体到达所述气源反应区的情况下，控制所述生长源气体与所述掺杂源气体进行反应，以在所述碳化硅衬底的远离所述托盘的表面上生成碳化硅外延片。

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